硅石油中杂质对系统有无损害
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太阳能级多晶硅中B、P杂质的危害及去除 百度文库
2011年5月18日 多晶硅生产中的主要杂质有Fe、Ni、Cu、Zn、Al、Ga、B、P、Cr、C等,其中B、P杂质是生产中很难去除的两种杂质,这两种杂质残留在多晶硅中会作为复合 多晶硅生产系统,无论是氢气、硅粉还是三氯氢硅,都是不可避免的碳杂质。在多晶硅体系中,碳杂质处于循环平衡状态,多晶硅生产系统中如果没有氯氢硅的直接损失,很难去除 浅谈多晶硅生产中碳杂质的分布和去除中国期刊网
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光伏硅废料中的杂质对锂离子电池负极性能的决定性作用
2023年12月17日 WSi基阳极中的微量金属杂质会自发发生电化学腐蚀反应,导致电池中金属枝晶的形成和电解液的分解。 导致电池性能不稳定,容易出现安全隐患。 该研究成果 2023年12月14日 由于精炼前工业硅的Ca和Al含量较高,其杂质相主要以Si2Al2Ca、SiAlCa和Si8Al6Fe4Ca等为主;而精炼后Fe为主要元素,故其析出相主要包括FeSi2 (Al) 工业硅中杂质相的微观结构及分布规律研究

高纯硅中杂质元素的质谱与非质谱分析方法综述
根据杂质的不同属性,对高纯硅中杂质的质谱及非质谱分析测定方法进行了分类与综述,分析了各种方法的优缺点及应用现状。 金属杂质元素的测定方法主要有辉光放电质谱法 因此,研究硅中金属杂质与缺陷具有重要的理论意义和实际应用背景,也是适应硅太阳电池低成本、高效率的发展趋势的必然要求。太阳电池用晶体硅中金属杂质与缺陷的相互作用研究 百度学术
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杂质对工业硅生产的影响 百度文库
杂质对工业硅生产的影响 黏土在加热到在1600℃之前,碱金属氧化物生成SiC之前首先被还原蒸发。 然后,1600℃左右时,在游离碳和SiC作用下黏土会释放其中的羟基变成一种 系统考查了不同工业硅粉粒度、刻蚀时间对主要金属杂质Fe、Al、Ca、Ti和V的去除影响,探究了工业硅中杂质相及周边硅相形貌的原位衍变过程及多孔硅形成原理。金属辅助化学刻蚀强化去除工业硅中金属杂质研究席风硕,项东

硅及硅基半导体材料中杂质缺陷和表面的研究 百度学术
随着超大规模集成电路设计线宽向深亚微米级(〈05μm)和亚四分之一微米级(〈025μm)发展,对半导体硅片及其它硅基材料的质量要求越来越高,研究上述材料中各种杂质的行为,控制 2005年6月13日 经对配流盘。2 防止固体杂质混入液压系统 清洁的液压油是液压系统的生命。液压系统中有许多。液压油清理杂质 液压油清理杂质,中石达液压油清理杂质,液压油净油机,液压油清理杂质产品优点:提高油液品质,恢复润滑油粘度、闪点及使用性能。液压油中杂质对系统有无损害

半导体物理第二章深能级杂质电离后的特点CSDN博客
2023年5月6日 半导体物理第二章 名词解释: 施主杂质:在半导体晶体中电离时,能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心的杂质称为施主杂质。 杂质补偿半导体:既掺有施主杂质,又掺有受主杂质的半导体,称为杂质补偿半导体。 深能级杂质:杂质电离能大,施主 半导体材料第5讲硅、锗晶体中的杂质对一批新的多晶原料和坩埚,不掺杂拉单晶,测量其导电类型和头部电阻率ρ,并由ρN图找出对应的载流子 浓度即单晶中的杂质浓度Cs。此CS是多晶硅料、坩埚和系统等引入的沾污共同影响的数值。半导体材料第5讲硅、锗晶体中的杂质百度文库

直拉法硅单晶中晶转对杂质含量的影响 百度文库
直拉硅单晶中的品质主要受原料、辅料及拉晶工艺的影响。 其中杂质主要来源于多晶硅原料和辅料(其包括石英埚、碳毡、石墨件等),当原料和辅料确定后,最终晶体内的杂质含量及分布由生长工艺直接决定。 32结果分析 (1)氧杂质含量 如图3,三种方案 第4章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷 • 半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要 的影响。 半导体硅、锗器件的制做不仅要求硅、 锗材料是具有一定晶向的单晶,而且还要求单晶 具有一定的电学参数和晶体的完整性。 • 单晶的电学参数通常是采用掺杂的 半导体材料第5讲硅、锗晶体中的杂质百度文库

半导体材料第5讲硅、锗晶体中的杂质百度文库
• • 1.杂质对材料导电类型的影响 当材料中共存施主和受主杂质时,它们将相互发生补偿, 材料的导电类型取决于占优势的杂质。例如,在锗、硅材 料中,当Ⅲ族杂质元素在数量上占优势时,材料呈现P型, 反之当V族元素占优势时则呈现N型。2020年10月16日 润滑油机械杂质对设备有什么危害?润滑油中含机械杂质、水的特征辨别及危害机械杂质机械杂质是指石油或石油产品中 不溶于油和规定溶剂的沉淀或悬浮物,如泥砂、尘土、铁屑、纤维和某些不溶性盐类。机械杂质可用沉淀或 百度首页 商城 润滑油机械杂质对设备有什么危害?百度知道
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太阳电池用晶体硅中的氧和金属杂质对电池性能的影响 豆丁网
2011年10月31日 对单晶硅片做750℃~1050℃3h单步退火后,在硅衬底中生成的氧沉淀很少,电池效 率下降幅度不大。经过低高温两步退火会在单晶硅基体内引入大量氧沉淀,电池效率大 幅降低。高温短时间退火无论有无预处理都不会在硅基体内引入大量氧沉淀。低温预 半导体材料第5讲硅、锗晶体中的杂质 页,共61页。 f杂质能级 • 杂质对硅、锗电学性质的影响与杂质的类型和它们的能级在禁带中的位 置等有关。 • 硅、锗中的杂质大致可分为两类:一类是周期表中Ⅲ族或V族杂 质,它们的电离能低,对材料的电导率 半导体材料第5讲硅、锗晶体中的杂质百度文库

太阳电池用晶体硅中的氧和金属杂质对电池性能的影响
对单晶硅片做750℃~1050℃3h单步退火后,在硅衬底中生成的氧沉淀很少,电池效率下降幅度不大。经过低高温两步退火会在单晶硅基体内引入大量氧沉淀,电池效率大幅降低。高温短时间退火无论有无预处理都不会在硅基体内引入大量氧沉淀。半导体制造工艺之硅的氧化概述 SiO2的相对介电常数为39SiO2的主要性质(3) 腐蚀:化学性质非常稳定,只与氢氟酸发 生反应 还可与强碱缓慢反应 薄膜应力为压应力返回22 SiO2的掩蔽作用 221 杂质在SiO2中的存在形式 杂质在SiO2中的存在形式半导体制造工艺之硅的氧化概述 百度文库
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液压油中杂质对系统有无损害
2021年11月29日 液压系统常见故障百度百科在液压传动系统中,都是一些比较精密的零件。人们对机械的液压传动虽然觉得省力方便,但同时又感到它易于损坏。究其原因,主要是不太清楚其工作原理和构造特性,从而也不大了解其预防保养的方法。液压系统有3个基本的“致病”因素:污染、过热和进入空气。目前国内外对于富氢合成气中CO对PEM燃料电池性能影响的研究比较充分。 大家普遍认为CO会吸附在燃料电池的催化剂中,导致燃料电池性能的严重下降。 为防止CO影响燃料电池的性能,合成气中CO的体积含量需控制在10 × 10-6以内[5-8],这也是在本课题组所研发 富氢合成气中杂质气体对质子交换膜燃料电池性能的影响
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浅谈多晶硅生产中碳杂质的分布和去除中国期刊网
多晶硅生产系统,无论是氢气、硅粉还是三氯氢硅,都是不可避免的碳杂质。 在多晶硅体系中,碳杂质处于循环平衡状态,多晶硅生产系统中如果没有氯氢硅的直接损失,很难去除系统中的碳杂质,从而增加多晶硅产品中替代碳的浓度。 为了降低产品中替代碳 2014年9月7日 更多关于液压油中杂质对系统有无损害的问题;; 浅谈润滑油故障对氨压缩制冷系统的影响 技术培训 中国计量2013年6月13日分析了氨压缩制冷系统的润滑油部分统在运行过程中系统出现的故障,并总结了油量少,所以发生油气压差下降;齿轮油泵吸入有杂质的油,使入口被堵塞;油液压油中杂质对系统有无损害
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液压油中杂质对系统有无损害
液压系统中混进了空气有哪些危害百度知道 液压系统中混进了空气有哪些危害? 1 液压油中如果进入了空气会有什么危害? 如何预防? 3 液压系统混入空气,水和杂质有哪些危害 液压系统中混入空气,对系统工作有何影响? 可采取哪些方法防范?2022年8月22日 关键设备腐蚀、相关产品杂质含量高等。因此,有效应 对杂质的影响成为废塑料产业化回收利用所面临的关 键问题之一。其中,硅、氯是废塑料中含量较高的杂质 元素,因此本文重点介绍废塑料化学回收过程中杂质 硅、氯的赋存状态及对回收过程的影响,并对废塑料热解油中杂质硅、氯的影响及应对策略探讨
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Quantum transport relating to impurity quantum dots in
2019年12月14日 利用杂质原子作 为量子输运构件的硅纳米结构晶体管有望成为未来量子计算电路的基本组成器件 本文结合安德森定域化 理论和Hubbard带模型对单个、分立和耦合杂质原子系统中的量子输运特性进行了综述, 系统介绍了提升杂 质原子晶体管工作温度的方法2005年6月13日 经对配流盘。2 防止固体杂质混入液压系统 清洁的液压油是液压系统的生命。液压系统中有许多。液压油清理杂质 液压油清理杂质,中石达液压油清理杂质,液压油净油机,液压油清理杂质产品优点:提高油液品质,恢复润滑油粘度、闪点及使用性能。液压油中杂质对系统有无损害

半导体物理第二章深能级杂质电离后的特点CSDN博客
2023年5月6日 半导体物理第二章 名词解释: 施主杂质:在半导体晶体中电离时,能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心的杂质称为施主杂质。 杂质补偿半导体:既掺有施主杂质,又掺有受主杂质的半导体,称为杂质补偿半导体。 深能级杂质:杂质电离能大,施主 半导体材料第5讲硅、锗晶体中的杂质对一批新的多晶原料和坩埚,不掺杂拉单晶,测量其导电类型和头部电阻率ρ,并由ρN图找出对应的载流子 浓度即单晶中的杂质浓度Cs。此CS是多晶硅料、坩埚和系统等引入的沾污共同影响的数值。半导体材料第5讲硅、锗晶体中的杂质百度文库

直拉法硅单晶中晶转对杂质含量的影响 百度文库
直拉硅单晶中的品质主要受原料、辅料及拉晶工艺的影响。 其中杂质主要来源于多晶硅原料和辅料(其包括石英埚、碳毡、石墨件等),当原料和辅料确定后,最终晶体内的杂质含量及分布由生长工艺直接决定。 32结果分析 (1)氧杂质含量 如图3,三种方案 第4章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷 • 半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要 的影响。 半导体硅、锗器件的制做不仅要求硅、 锗材料是具有一定晶向的单晶,而且还要求单晶 具有一定的电学参数和晶体的完整性。 • 单晶的电学参数通常是采用掺杂的 半导体材料第5讲硅、锗晶体中的杂质百度文库
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半导体材料第5讲硅、锗晶体中的杂质百度文库
• • 1.杂质对材料导电类型的影响 当材料中共存施主和受主杂质时,它们将相互发生补偿, 材料的导电类型取决于占优势的杂质。例如,在锗、硅材 料中,当Ⅲ族杂质元素在数量上占优势时,材料呈现P型, 反之当V族元素占优势时则呈现N型。2020年10月16日 润滑油机械杂质对设备有什么危害?润滑油中含机械杂质、水的特征辨别及危害机械杂质机械杂质是指石油或石油产品中 不溶于油和规定溶剂的沉淀或悬浮物,如泥砂、尘土、铁屑、纤维和某些不溶性盐类。机械杂质可用沉淀或 百度首页 商城 润滑油机械杂质对设备有什么危害?百度知道

太阳电池用晶体硅中的氧和金属杂质对电池性能的影响 豆丁网
2011年10月31日 对单晶硅片做750℃~1050℃3h单步退火后,在硅衬底中生成的氧沉淀很少,电池效 率下降幅度不大。经过低高温两步退火会在单晶硅基体内引入大量氧沉淀,电池效率大 幅降低。高温短时间退火无论有无预处理都不会在硅基体内引入大量氧沉淀。低温预